بازپخت لیزری لایه های نازک tio2/wo3 به منظور کاربردهای گازوکرومیک-خودتمیزشونده

پایان نامه
چکیده

لایه های نازک اکسید تنگستن همراه با یک پوشش کاتالیستی مناسب هم چون پالادیوم (pd) یا پلاتین (pt) به طور گسترده در ساخت حسگرهای اپتیکی هیدروژن مبتنی بر خاصیت گازوکرومیک استفاده می شوند. در این نوع حسگرها تجزیه ی مولکول های هیدروژن روی سطح کاتالیست و در پی آن تزریق جفت پروتون-الکترون به ساختار اکسید تنگستن، منجر به تغییرات اپتیکی لایه ی اکسید تنگستن می شود. بازدهی و پایداری حسگرهای pd/wo3 به طور مستقیم با تعداد اتم های کاتالیست ارتباط دارد. اما جذب ترکیبات آلوده هم چون مونوکسید کربن روی سطح کاتالیست، از تعداد سایت های در دسترس برای تجزیه ی هیدروژن می کاهد. این پدیده که مسمومیت کاتالیستی نامیده می شود، آثار نامطلوبی روی پاسخ گازوکرومیکی اکسید تنگستن دارد. از سوی دیگر اکسید تیتانیوم آناتیس به دلیل خاصیت فوتوکاتالیستی خود، قادر به تجزیه ی آلودگی های سطحی است. بنابراین ساخت لایه های نازک tio2/wo3 می تواند راه کاری جدید برای رفع مسمومیت کاتالیستی در حسگرهای هیدروژن مبتنی بر اکسید تنگستن باشد. از آن جا که دمای مورد نیاز برای تشکیل فاز آناتیس اکسید تیتانیوم ?c 600-400 است و این دما به نوبه ی خود به تبلور اکسید تنگستن می انجامد، در این تحقیق از روش نوین بازپخت لیزری جهت تشکیل فاز آناتیس اکسید تیتانیوم استفاده می شود. در این پژوهش لایه های نازک tio2/wo3 با روش لایه نشانی لیزر پالسی ساخته شدند. سپس تحت تابش پالس لیزر اگزایمر با انرژی های مختلف 110، 140، 170 و mj 200 قرار گرفتند. یافته های ما نشان می دهد در انرژی mj 110، ساختار آناتیس اکسید تیتانیوم شکل می گیرد و افزایش انرژی لیزر منجر به تشکیل اکسید تنگستن مونوکلینیک می شود. مطالعات ما تغییر مورفولوژی و نسبت توزیع عناصر در نمونه ها را پس از تابش لیزر نشان داد. هم چنین تابش لیزر منجر به کاهش عبور اپتیکی و نیز کاهش گاف نواری لایه های tio2/wo3 می شود. اندازه گیری زاویه ی تماس آب افزایش خاصیت آب دوستی لایه ها را پس از تابش لیزر تأیید می کند. هم چنین نمونه های تابش یافته با انرژی mj 110 و mj 170 به ترتیب بهترین پاسخ فوتوکاتالیستی و گازوکرومیکی را از خود نشان می دهند.

۱۵ صفحه ی اول

برای دانلود 15 صفحه اول باید عضویت طلایی داشته باشید

اگر عضو سایت هستید لطفا وارد حساب کاربری خود شوید

منابع مشابه

بهینه سازی بهره اپتیکی در لایه های نازک دیودهای لیزری چاه کوانتومی

Advanced diode laser consists of a two dimensional thin layer which is about 10 nanometers size. Optical gain of thin layers has a great deal of importance in light amplification. Thin layers cause a modification in conduction and valance bands of bulk materials. · Subbands have been computed through effective mass equations. As a result of this method, particular effective masses are avai...

متن کامل

تأثیر دمای بازپخت بر خواص ساختاری و مغناطیسی لایه نازک آهن-پلاتین

هدف اصلی این تحقیق، بررسی خواص ساختاری و مغناطیسی لایه نازک FePt نسبت به دمای بازپخت است. لایه‌های نازک FePt به روش کندوپاش روی زیرلایه شیشه ای با نرخ                          6 و با توان W 110 رسوب داده شدند. خلأ اولیه محفظه کندوپاش برابر Torr 7-10 5 و فشار گاز آرگون mTorr 3 در نظر گرفته شد. پس از تهیه نمونه‌ها، در محدوده 650-450 به مدت 30 دقیقه بازپخت شدند. شناسایی فازی لایه نازک ب...

متن کامل

مطالعه نانو ساختار و ریخت شناسی لایه های نازک اکسید زیرکونیوم تهیه شده به روش بازپخت لایه های نازک زیرکونیوم

لایه های نازک زیرکونیوم، به وسیله روش کندوپاش مغناطیسی dc بر روی زیرلایه سیلیکون انباشت شدند و سپس در دماهای ( 750-150) و زمان های متفاوت (min 180و60 ) با شار اکسیژن، بازپخت گردیدند. روش پراش پرتو - x برای مطالعه ساختار بلوری استفاده شد. نتایج، ساختاری مکعبی از فاز ارتورهمبیک اکسید زیرکونیوم برای لایه های بازپخت شده تحت 150 و ساختار مرکبی از منوکلینیک و تتراگونال برای لایه های بازپخت شده در دما...

تأثیر عملیات بازپخت بر ساختار بلوری و خواص اپتیکی لایه های نازک cdzno رشد داده شده به روش سل- ژل

ابتدا لایه های نازک اکسید کادمیوم روی cdzno به ضخامت متوسط 155 نانومتر بر روی زیر لایه های شیشه ای با روش سل-ژل چرخشی رشد داده شدند. سپس لایه های آماده شده در دماهای 500 و 450 درجه سانتیگراد بازپخت شدند. خواص اپتیکی و ساختاری این نمونه ها با استفاده از نتایج حاصل از اندازه گیری های طیف عبور و بازتاب و پراش پرتوایکس و همچنین تصاویر میکروسکوپ الکترونی روبشی بررسی شدند. نتایج این مطالعه نشان داد ک...

متن کامل

بررسی الکترواپتیکی لایه های نازک اکسید تنگستن و اکسید وانادیوم به منظور طراحی قطعه الکتروکرومیک

در این مطالعه لایه­های نازک الکتروکرومیک اکسید تنگستن و اکسید وانادیوم به روش فیزیکی تبخیر حرارتی در خلأ در ضخامت 200 نانومتر بر روی زیر لایه هادی شفاف sno2:f جایگذاری شده و مورد مطالعه اپتیکی در بازه طول موج 400 تا 700 نانومتر و مطالعه الکتریکی در بازه پتانسیل 5/1- تا 5/1+ ولت قرار گرفته­اند. همچنین این لایه­ها به منظور بررسی میزان تغییر گاف انرژی با دما، در دماهای 120، 300 و 500 درجه سیلسیوس ...

متن کامل

تأثیر دمای بازپخت بر خواص ساختاری و مغناطیسی لایه نازک آهن-پلاتین

هدف اصلی این تحقیق، بررسی خواص ساختاری و مغناطیسی لایه نازک fept نسبت به دمای بازپخت است. لایه های نازک fept به روش کندوپاش روی زیرلایه شیشه ای با نرخ                          6 و با توان w 110 رسوب داده شدند. خلأ اولیه محفظه کندوپاش برابر torr 7-10 5 و فشار گاز آرگون mtorr 3 در نظر گرفته شد. پس از تهیه نمونه ها، در محدوده 650-450 به مدت 30 دقیقه بازپخت شدند. شناسایی فازی لایه نازک با استفاده ا...

متن کامل

منابع من

با ذخیره ی این منبع در منابع من، دسترسی به آن را برای استفاده های بعدی آسان تر کنید

ذخیره در منابع من قبلا به منابع من ذحیره شده

{@ msg_add @}


نوع سند: پایان نامه

وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه صنعتی اصفهان - دانشکده فیزیک

میزبانی شده توسط پلتفرم ابری doprax.com

copyright © 2015-2023